2015年5月19日，亚利桑那州凤凰城讯（2015国际微波研讨会）－飞思卡尔半导体公司 [NYSE: FSL] 日前推出了其首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓（GaN）射频功率晶体管。新产品A2G22S160-01S在无线W放大器中表现优异。这款产品是面向蜂窝移动通信市场的Airfast系列GaN晶体管的第一款产品。

　　作为射频功率晶体管市场的领跑者，飞思卡尔推出的GaN射频解决方案使客户在无线基础设施市场中有了更多世界级的产品选择。就在新产品发布的几个月前，飞思卡尔才推出了MMRF5014H，这是它第一款面向军事及工业应用的GaN 射频功率晶体管。目前，这款产品在热感与宽带射频性能表现方面仍是100W级别GaN晶体管中的佼佼者。

　　飞思卡尔高级副总裁兼射频业务总经理Paul Hart表示： “飞思卡尔正将GaN应用从小众市场引领向如蜂窝移动通信基础设施这样的主流应用市场。是时候向我们庞大的电信客户群推荐我们的GaN解决方案了。除了A2G22S160-01S的超级性能外，我们的蜂窝移动通信客户还将拥有飞思卡尔的高产能和全球性的售后服务做保障。”

　　与硅相比，GaN具有更高的功率转化效率，更快的转换速度以及更高的功率密度，故而以它为基础而制造出的功率晶体管与传统器件相比体积更小，功能也更强大。这要得益于GaN的几大特性较宽的带隙，较强的临界电场以及高水平的电子迁移率。虽然GaN的转移在过去花费过高，但最近的商业和技术进步正使制作成本逐渐降低。作为半导体制造业中一直以来的领跑者，飞思卡尔正在某些世界级的大型市场展示GaN材料的优点，同时也在主流商业基站市场中实现了GaN功率放大器的大规模部署。

　　飞思卡尔 Airfast系列射频功率产品涵盖了600MHz到3.8GHz的所有无线蜂窝移动通信频段，采用多种半导体技术。A2G22S160-01S专为1800-2200MHz频率范围的基站设计，性能优异。例如，在40W的Doherty双向不对称放大器中，其载波通道装有一根A2G22S160-01S晶体管，峰值通道装有两个A2G22S160-01S晶体管，则它的最大输出功率为56.2dBm。通过8dB的输出回退（OBO），功率增益可达到15.4dB, 效率则可达到56.7%。当此放大器受到两个20MHzLTE载波单元（聚合后的带宽则为40MHz）的驱动时，具备数字预失真（DPD）功能的邻道功率（ACP）则为55dBc。

　　A2G22S160-01S GaN 射频功率晶体管现正在生产中，参考设计和其他支持方案已可获得。有关定价及其他信息，请联系当地飞思卡尔销售办公室。

　　ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用（例如数据服务器和交流适配器）内的主电源。 在过去的几年里，消费者和工业部门越来越需要更多的能源节约，以实现可持续发展的社会。 虽然 GaN HEMT 有望显着促进小型化和提高功率转换效率，但与硅 MOSFET 相比，栅极驱动的难度较大，需要使用专用的栅极驱动器。 为此，ROHM 开发了功率级 IC，利用核心功率和模拟技术，将 GaN HEMT 和栅极驱动器集成到单个封装中，从而大大简化了设计与安装。 除此之外，BM3G0xxMUV-LB 系列（BM3G015MUV-LB、BM

　　级IC /

　　飞思卡尔日前公布了其2013年一季度业绩报告，报告称其一季度营业额为9.81亿美元，EBITDA盈利水平为1.78亿美元，毛利率为40.6%，调整后每股亏损0.03美元。 2013年一季度营业额同比增长3%，环比增长同为3%。经营利润为1.04亿美元，同比下降40%，环比则上涨50%。 具体营收分类： 1. 单片机销售额1.77亿美元，同比上涨19%，环比下降10%。同比上涨主要是来自亚太区域的需求增长，而环比下降则主要源于客户的季节性因素。 2. 数字网络部门销售额为2.02亿美元，同比下降4%，环比上涨4%。同比下降主要是因为一般性嵌入式产品收入下滑，而环比上涨的主要原因为中国及美国市场4G市场以及企业

　　“ 汽车 企业与 半导体 企业的关系发生了改变。我们正在应对这一变化”， 瑞萨 电子执行董事常务、车载半导体业务负责村隆司这样说道。在第8届国际汽车电子技术展（2016年1月13日～15日在东京有明国际会展中心举办）上，大村接受了记者的采访。 大村表示，过去，车载半导体是按照“汽车企业（OEM）--部件企业（Tier 1）”这种以OEM为顶点的体系，分别进行优化的，这被称作“1型车载半导体”。最近，擅长电子的Tier 1与不擅长电子的Tier 1之间的差距越来越大，结果就是，世界市场上少数几家强大的Tier 1（叫作“Global Tier 1”）壮大了实力。符合Global Tier 1制定的国际标准的车载半导体（2型

　　3年前，当苹果发布了iPhone手机之后，巨大的数据流量甚至击垮了运营商AT&T的网络——AT&T网内数据流量3年内激增了50倍，网络多次出现拥塞或是局部瘫痪的情况。作为全球第三大运营商，AT&T的实力不可小觑，但这也难抵无线数据流量呈指数级的增长态势，运营商无线网络的升级速度远远赶不上智能手机用户对网络的占用速度。 4G基础设施打破传统架构 如今，运营商已开始谋划向4G网络迁移，来解决数据拥塞以及服务质量下降的问题。而4G面临的首要问题可能就是架构问题，它要突破现有无线通信基础架构拓扑所遇到的瓶颈。 现阶段无线通信基础架构采用传统或更大的宏蜂窝架构，但这种架构已被证实无法满足持续增长的数据需求，因为宏

　　在有线及无线通信嵌入式处理器领域排名第一，占有市场绝对领先地位的飞思卡尔让Power Architecture成为网络处理器的主流方案；而全球服务器出货量排名第一的IBM使得Power Architecture成为世界一流的数据中心处理解决方案。根据思科公布的物联网发展报告称，大摩预计到2020年，全球物联网（IoT）设备总量将达到750亿部，这无疑对数据中心处理能力带来了很大的挑战，而数据中心的增加对企业成本和能耗也带来了压力。飞思卡尔推出的 28 nm QorIQ T2080和T2081通信处理器就可以帮助数据中心应对这些问题，并解决数据剧增给通信业带来的一系列挑战。T2系列带8个虚拟内核，性能跨度大，从每核1.2 GHz~1

　　QorIQ T2系列的N种理由 /

　　——飞思卡尔技术论坛2014全记录 在20号上午的主题演讲中，飞思卡尔总裁兼CEO Gregg Lowe先生多次向我们强调了当前聚焦的五个核心产品部门，但是对于具体的发展情况没有进行具体的说明。在下午的专场采访中，我们深度了解了五个核心产品部门的发展情况以及以后的战略规划。 首先采访的就是飞思卡尔的微部门，作为飞思卡尔的核心部门以及关键技术所在，微一直保持着非常良好的发展态势，在过去的2013年内，MCU同比增长了17%。“快速增长的主要原因在于，我们对于所有的MCU系列产品都进行了大量的研发投入，以保证我们在市场的竞争力。”飞思卡尔高级副总裁兼微部总经理Geoff Lees在谈到MCU的发展

　　微:如何保证强劲的发展势头 /

　　下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计快 3 倍，节能高达 70%。据估计，氮化镓OBC、DC-DC 转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程，或将电池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化镓功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年来到。据估计，到 2050 年，将电动汽车升级到使用GaN之后，

　　芯片设计中心 /

　　来自上网本厂商的消息称，飞思卡尔和高通都准备在今年六月初的台北Computex 2009大会上发布各自的ARM平台上网本产品。 飞思卡尔的上网本奖采用基于ARM Coretex A8架构的i.MX51处理器，由和硕代工。高通则会使用Snapdragon单芯片处理器，并交给纬创代工。 另外，高通还会稍后推出基于NVIDIA Tegra平台的产品。 微星据称也对NVIDIA Tegra平台很感兴趣，并且已经确定微星和华硕都在评估发布高通处理器上网本产品的可能性。

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